SJ 50033.43-1994 半导体分立器件.2CZ104型硅开关整流二极管详细规范
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ID： |
C4F8448C03044DF1A6C3F97CCE83EFFB |
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文件大小(MB)： |
0.43 |
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页数： |
9 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033.43-94,半导体分立器件,2CZ104型硅开关整流二极管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 2czi 04,silicon switching rectifier diode,1994-09-30 发布 i 994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2CZ104型硅开关整流二极管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 2czi04,silicon twitching rectifier diode,SJ 50033.43-94,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 2CZ104型硅开关整流二极管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等极,按GJB 33《半导体分立相件总规范》1. 3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP,GT和GCT表示,2引用文件,GB 4023-86半导体分立器件第2部分整流二极管.,GB 6571-86小功率信号二极管、稳压及基推电压ニ极管测试方法,GB 7581-8Z半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按djB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定.,3.2 -1引出端涂层.,中华人民共和国电子工业部1994-09- 30发布1994-12-01 实施,—1 —,SJ 50033- 43-94,引出端表面镀锡.对引出端涂层另有要求时,在合同或订货単中规定(见札3条),3.2-2器件结构,器件采用玻璃钝化封装。在芯片两面和引出端之间采用高温冶金链合结构”,3. 2.3外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581的D2—1OA型,见图ls,符号,D2-1OA,寸min max,她0.72 0- 87,険3丒5,G 5.0,L 25,厶1*5,厶12.5,注ム为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度.,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3-3.1最大额定值,型号,Vrsm,tV),ドM需M,(V),び,7\ = 80'C,(A),A'SM,Ta=25C,Ur = F RWM,— 10ms,CA),ア臼尸,(X),丁修,(C),低气压,(Pa),2CZ104B 75 50,0.3 6 一 55.15。一 55.175 1066*5,2CZ1O4C 150 ]00,2CZ104D 300 200,2CZI04E 450 300,2CZ104F 600 400,2czi04G 750 500,2czi04H 900 600,2CZ1O4J 1050 700,2CZ104K 1200 800,SJ 50033- 43-34,注:1）Ta>80C时,按4,28mA/C的速率线性降额.,3.3.2主要电特性（Ta = 25匕）,型 号,Vfmi,/fm = 〇. 9 A,10nw,(V),Al,Fr — Vrwm,QiA),Irz,VrhVrWM,Ta = 1256,(M),tn,Zf —50mA,VR=1OV,&=75,3),最大值最大值最大值最大值,1 2CZ104B,1.8 50 50 2,2CZ1O4C,2C2104D,1CZ104E,2CZ1O4F,2CZ104G,2CZ104H,2CZ104J,2CZ104K,3.4 电测试要求,电测试要求应符合GB 4023,GB 657I及本规范的规定,315标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定.型号标志可不限于一行内,制造厂可省略下列标志:,ぐ制造厂的识别;,b.检驶批识别代码;,c.型号命名中的2c部分,3.5.I极性标志,器件的负极端应采用鲜明的色带标记,以示出器件的极性,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应按GJ8 33和本规范的规定,4-2鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规电的规定.其测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极,限值的器件应予剔除.,-3,SJ 50033- 43-94,篩选(见GJB 33表2" 测试或试龄,3,热冲击除低温为ー 55C外,其余同试验条件F. ?,4.恒定加速度不要求,5.密封不裏求,7.中间电参数渡试ジFM兩/ai,8.电老化7\皿251c Io=0.3A VK=V^U /=5OHz 正弦半波,9a最后测试本规載表1的A2分组I,Hm エ初始值的100%或0. 3M,取较モ者1,ムアfmi?士0メ IV,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33和本规范的规定.,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行.,4.4.3 C组检验,C组检験应按GJB 33和本规范表3的规定进行.最后测试和变化量(A)的要求应按本规,范表4相应步骤的规定,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应的表和如下规定,4.5 -1稳态工作寿命,在器件的反向薫……
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